书目详细信息
： 宽禁带半导体电子材料与器件
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-067440-1:CNY150.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带半导体电子材料与器件/.沈波, 唐宁编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2021 |
| 载体形态项： | xi, 316页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 先进功能材料丛书 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
| 并列题名： | Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors eng |
| 题名主题： | 禁带 半导体材料 |
| 题名主题： | 禁带 电子器件 |
| 中图分类： | TN304 |
| 中图分类： | TN103 |
| 个人名称等同： | 沈波 编著 |
| 个人名称等同： | 唐宁 编著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20210331 |