书目详细信息
： 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-68175-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅功率器件/.高远, 陈桥梁编著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2021 |
| 载体形态项： | xiv, 311页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电力电子新技术系列图书 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。 |
| 并列题名： | Silicom carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 高远 编著 |
| 个人名称等同： | 陈桥梁 编著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20210722 |