书目详细信息
： 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-65981-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模/.(印) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著/.陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2020 |
| 载体形态项： | 239页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 相关题名附注： | 书名原文取自版权页 |
| 提要文摘： | 本书从三维结构的原理、物理效应入手，讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。 |
| 题名主题： | 集成电路 电路设计 系统建模 |
| 中图分类： | TN402 |
| 个人名称等同： | 楚罕 著 |
| 个人名称等同： | 卢 著 |
| 个人名称等同： | 维努戈帕兰 著 |
| 个人名称次要： | 陈铖颖 译 |
| 个人名称次要： | 张宏怡 译 |
| 个人名称次要： | 荆有波 译 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20200927 |