| ISBN/价格: | 978-7-111-49307-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种: | chi eng |
| 出版国别: | CN 110000 |
| 题名责任者项: | 先进的高压大功率器件/.(美)B. Jayant Baliga著/.于坤山[等]译 |
| 出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2015 |
| 载体形态项: | 442页:;+24cm |
| 丛编项: | 国际电气工程先进技术译丛 |
| 相关题名附注: | 封面英文题名: Advanced high voltage power device concepts |
| 提要文摘: | 本书介绍了几种应用于高压功率情况下的功率半导体器件——晶闸管、GTO、IGBT、MCT。本书详细介绍了硅基器件和碳化硅器件的特性及工作原理,并对硅基器件与碳化硅器件进行了比较,最后还介绍了两种新型功率器件的结构。 |
| 并列题名: | Advanced high voltage power device concepts eng |
| 题名主题: | 大功率 功率半导体器件 |
| 中图分类: | TN303 |
| 个人名称等同: | 巴利加 (美) (Baliga, B. Jayant) 著 |
| 个人名称次要: | 于坤山 译 |
| 记录来源: | CN SDL 20160930 |