| ISBN/价格: | 978-7-121-49371-3:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种: | chi |
| 出版国别: | CN 110000 |
| 题名责任者项: | 半导体器件建模与测试实验教程/.杜江锋, 石艳玲, 朱能勇编著 |
| 出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2025 |
| 载体形态项: | 213页:;+图:;+26cm |
| 丛编项: | 集成电路系列丛书.电子设计自动化 |
| 丛编项: | 国产EDA系列教材 |
| 提要文摘: | 本书基于国产EDA软件Empyrean Xmodel器件模型提取工具, 系统、全面地介绍硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、测试分析和参数提取的设计和实验全流程。本书在简要介绍半导体器件的基本理论、测试结构和测试方案的基础上, 详细阐述MOSFET BSIM模型和参数提取实验、Xmodel集成的数据图形化显示系统、MOSFET器件直流模型和射频模型的提取实验、基于ASM-HEMT模型的GaN功率器件和射频器件的模型参数提取实验等, 以及半导体器件中常见的各种二阶效应 (如短沟道效应、版图邻近效应、工艺角模型和温度特性等) 非线性模型参数的提取和验证方法。 |
| 题名主题: | 半导体器件 系统建模 高等学校 教材 |
| 中图分类: | TN303 |
| 个人名称等同: | 杜江锋 编著 |
| 个人名称等同: | 石艳玲 编著 |
| 个人名称等同: | 朱能勇 编著 |
| 记录来源: | CN 湖北三新 20250123 |