书目详细信息
： 模拟CMOS集成电路设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5693-0992-8:CNY138.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 模拟CMOS集成电路设计/.(美) 毕查德·拉扎维著/.Behzad Razavi/.陈贵灿 ... [等] 译 |
| 版本项： | 第2版 |
| 出版发行项： | 西安:,西安交通大学出版社:,2018.12 |
| 载体形态项： | XIV, 10, 724页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 国外名校最新教材精选 |
| 提要文摘： | 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材, 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计, 着重讲解该技术的最新进展和设计实例, 从MOSFET器件的基本物理特性开始, 逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN432.02 |
| 个人名称等同： | 拉扎维 著 |
| 个人名称次要： | 陈贵灿 译 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20190603 |