书目详细信息
： 半导体器件中的辐射效应
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-42552-3:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体器件中的辐射效应/.(加) 克日什托夫·印纽斯基编著/.刘超铭 ... [等] 译 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021 |
| 载体形态项： | xii, 315页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 集成电路基础与实践技术丛书 |
| 一般附注： | 工信学术出版基金 |
| 相关题名附注： | 书名原文取自版权页 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍各类先进电子元器件在辐射(例如航天，核物理等)环境下的性能和效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题，本书尝试从不同角度分析该问题，目的是帮助读者理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时的退化效应的主要特性。 |
| 题名主题： | 半导体器件 辐射效应 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 印纽斯基 编著 |
| 个人名称次要： | 刘超铭 译 |
| 个人名称次要： | 王天琦 译 |
| 个人名称次要： | 张延清 译 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20220116 |