书目详细信息
： CMOS模拟集成电路设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-45212-3:CNY129.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | CMOS模拟集成电路设计/.(美) Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg著/.冯军, 李智群译 |
| 版本项： | 第2版 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2023 |
| 载体形态项： | 451页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 国外电子与通信教材系列 |
| 提要文摘： | 本书从CMOS技术的前沿出发, 结合丰富的实践与教学经验, 对CMOS模拟集成电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题进行论述。共8章, 主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识、CMOS技术、器件模型及主要模拟电路的原理和设计, 包括CMOS子电路、放大器、运算放大器及高性能运算放大器、比较器等。 |
| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 教材 |
| 中图分类： | TN432.02 |
| 个人名称等同： | 艾伦 著 |
| 个人名称等同： | 霍尔伯格 著 |
| 个人名称次要： | 冯军 译 |
| 个人名称次要： | 李智群 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20230710 |